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[導讀]基於32位Arm Cortex-M23內核,48款全新RA2E1 MCU,包含豐富的內存、工作電壓和封裝選項

2021 年 1 月 27 日,日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團今日宣佈,推出48款全新RA2E1 MCU產品,以擴展其32位RA2 MCU產品羣。入門級單芯片RA2E1 MCU基於48MHz Arm® Cortex®-M23內核,具有最高128KB的代碼閃存和16KB的SRAM。

RA2E1 MCU產品羣支持1.6V至5.5V的寬工作電壓範圍和多種封裝,如LQFP、QFN、LGA、BGA及晶圓級芯片封裝(WLCSP),提供卓越性能、超低功耗、創新外設和小型封裝的優化組合。這些特點使RA2E1產品羣成為在成本敏感及空間受限型應用中滿足高性能、低功耗系統需求的理想選擇。全新MCU提供具備軟/硬件擴展的升級路徑,是瑞薩RA產品家族強大陣容的理想入門級產品。

瑞薩電子物聯網及基礎設施事業本部高級副總裁Roger Wendelken表示:“RA2E1產品羣是RA產品家族的重要擴容。新產品可很好地滿足不同領域的開發者需求,為消費類產品、家電和工業設備等應用提供豐富的常用功能與選項。此外,它們還可作為RA2產品家族的入門級產品,提供無縫升級到龐大RA家族產品的軟硬件擴展能力。”

RA2E1 MCU中升級的低功耗特性覆蓋了所有片上外設、閃存和SRAM。這些特性可使芯片在整個温度和電壓範圍內實現最低功耗,並通過提供多種低功耗模式,最大限度提升不同應用的系統設計靈活度。在進行功耗基準測試時,RA2E1 MCU在1.8V電壓下EEMBC® ULPMarkTM評測得分為321,驗證了其同類一流的功耗水平。現在用户可將運行功耗降至接近待機水平,以延長電池壽命。

RA2E1 MCU產品羣的關鍵特性

· 48MHz Arm Cortex-M23 CPU內核

· 集成閃存涵蓋32KB至128KB,16KB SRAM

· 支持1.6V - 5.5V工作電壓範圍

· 25-64引腳可選

· 封裝選項包括LQFP、QFN、LGA、BGA和WLCSP(2.14 x 2.27mm)

· 低功耗運行:工作模式為100µA/MHz,待機模式為250nA

· 集成了新一代創新型電容式觸摸感應單元,無需外部元器件,降低BOM成本

· 集成高精度(1.0%)內部振盪器、支持100萬次擦除/編程循環的後台操作數據閃存、大電流IO端口和温度傳感器等片上外圍功能,縮減系統成本

· 與RA2L1產品羣引腳及外圍設備兼容,實現快速簡便的升級路徑

RA2E1 MCU還提供IEC60730自檢庫,並具有集成的安全功能,可確認MCU是否正常運行。客户可輕鬆利用這些安全功能來執行MCU自診斷。此外,RA2E1還包括AES硬件加速、真隨機數發生器(TRNG)和存儲保護單元,為開發安全的物聯網系統構建了基本模塊。

RA2E1產品羣搭配易用的靈活配置軟件包(FSP),其中包括一流的HAL驅動程序。FSP通過GUI工具來簡化流程並顯著加快開發進程,同時也使客户可以輕鬆地從原有的8/16位MCU設計轉移過來。選用RA2E1 MCU的設計人員還可充分利用強大的Arm合作伙伴生態系統,獲得大量有助於加速產品上市的工具。

瑞薩RA2E1 MCU可與瑞薩模擬和電源產品結合使用,以創建適用於各類應用的綜合解決方案。瑞薩電子已發佈了基於Arm核處理器的“成功產品組合”,適用於RA2E1 MCU低成本、低引腳數和低功耗等特性。RA2E1開發套件還支持擴展規格的PMOD接口,可以使用PMOD傳感器和PMOD RF連接模塊進行快速的模塊化物聯網應用開發。

供貨信息

RA2E1 MCU現可從瑞薩全球經銷商處購買。

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